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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振愛(ài)普生晶振,VG-1201CA晶振,7050晶振,壓控振蕩器

    愛(ài)普生晶振,VG-1201CA晶振,7050晶振,壓控振蕩器

  • 規(guī)格型號(hào):95545492
  • 頻率:1.000MHZ~60.000MHZ
  • 尺寸:7.0*5.0*1.4mm 詳細(xì)資料請(qǐng)查看PDF
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  • 產(chǎn)品描述:廣泛應(yīng)用于SDH/SONET,以太網(wǎng),平臺(tái)基站,GPS全球定位系統(tǒng),蜂窩,車載電子,光纖通道等領(lǐng)域.

愛(ài)普生晶振,VG-1201CA晶振,7050晶振,壓控振蕩器
參數(shù):頻率范圍1 .000MHZ-60.000MHZ
電源電壓: 5.0V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -40℃~+85℃

保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±20ppm、±25ppm
輸出方式:CMOS
尺寸:進(jìn)口大體積7.0*5.0*1.4mm
應(yīng)用:RF發(fā)射器模塊,調(diào)制解調(diào)器,ADSL網(wǎng)絡(luò)控制器,無(wú)線基站,程控交換設(shè)備智能手機(jī),高配置筆記本等產(chǎn)品。

       愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)把半導(dǎo)體(IC)稱之為“產(chǎn)業(yè)之米”,并認(rèn)為晶體元器件更是離不開(kāi)的“產(chǎn)業(yè)之鹽”.將進(jìn)一步致力于小型、高穩(wěn)定、高精度晶體元器件的開(kāi)發(fā),為現(xiàn)有的應(yīng)用程序以及生活新藍(lán)圖開(kāi)拓廣闊前景.愛(ài)普生拓優(yōu)科夢(mèng)(Epson — yocom)運(yùn)用長(zhǎng)年積累的培育人工貼片石英晶振以及以加工為代表的、實(shí)現(xiàn)精微化、高精度、高品質(zhì)的綜合技術(shù),提出“3D戰(zhàn)略”究極應(yīng)用石英特性而制造的三大元器件:定時(shí)元器件、傳感元器件、光學(xué)元器件,并創(chuàng)出將其復(fù)合而成的模塊,為成為不可缺少的企業(yè)而邁進(jìn)至今.


       愛(ài)普生晶振,VG-1201CA晶振,7050晶振,壓控振蕩器,這款7.0*5.0mm表面貼片式四腳晶振,是晶振中較大的一款有源晶振,所謂的有源晶振就是晶體需要有外部電壓的支持才可以起振,僅有1.4mm的厚度,可支持表面貼裝,根據(jù)不同產(chǎn)品的特性,有源晶振,VG-1201CA晶振的電壓有3.3V和5.0V可供選擇,在高要求的高端智能產(chǎn)品中需求量較大。

泰藝晶振型號(hào)/輸出類型 VG-1201CA晶振,愛(ài)普生石英晶振
晶振類型 VCXO振蕩器
輸出負(fù)載 15pF
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 5.0V
頻率范圍2 1.000MHZ-60.000MHZ
頻率穩(wěn)定度 ±20ppm、±25ppm
工作溫度 -40~+85℃
保存溫度 -40~+125℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 5 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±3 ppm /年最大。



機(jī)械振動(dòng)的影響
當(dāng)晶體產(chǎn)品上存在任何給定沖擊或受到周期性機(jī)械振動(dòng)時(shí),比如:壓電揚(yáng)聲器,壓電蜂鳴器,以及喇叭等,輸出頻率和幅度會(huì)受到影響。這種現(xiàn)象對(duì)通信器材通信質(zhì)量有影響。盡管石英晶振產(chǎn)品設(shè)計(jì)可最小化這種機(jī)械振動(dòng)的影響,我們推薦事先檢查并按照下列安裝指南進(jìn)行操作。
 PCB設(shè)計(jì)指導(dǎo)
(1) 理想情況下,機(jī)械蜂鳴器應(yīng)安裝在一個(gè)獨(dú)立于晶體器件的PCB板上。如果您安裝在同一個(gè)PCB板上,最好使用余量或切割PCB。當(dāng)應(yīng)用于PCB板本身或PCB板體內(nèi)部時(shí),機(jī)械振動(dòng)程度有所不同。建議遵照內(nèi)部板體特性。
(2) 在設(shè)計(jì)時(shí)請(qǐng)參考相應(yīng)的推薦封裝。
(3) 在使用焊料助焊劑時(shí),按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS C 60068-2-20/IEC 60,068-2-20).來(lái)使用。
(4) 請(qǐng)按JIS標(biāo)準(zhǔn)(JIS Z 3282, Pb 含量 1000ppm, 0.1wt% 或更少)來(lái)使用無(wú)鉛焊料。
存儲(chǔ)事項(xiàng)
(1) 在更高或更低溫度或高濕度環(huán)境下長(zhǎng)時(shí)間保存晶振產(chǎn)品時(shí),會(huì)影響頻率穩(wěn)定性或焊接性。請(qǐng)?jiān)谡囟群蜐穸拳h(huán)境下保存這些晶振產(chǎn)品,并在開(kāi)封后盡可能進(jìn)行安裝,以免長(zhǎng)期儲(chǔ)藏。
正常溫度和濕度:
溫度:+15°C 至 +35°C,濕度 25 % RH 至 85 % RH(請(qǐng)參閱“測(cè)試點(diǎn)JIS C 60068-1 / IEC 60068-1的標(biāo)準(zhǔn)條件”章節(jié)內(nèi)容)。
(2) 請(qǐng)仔細(xì)處理內(nèi)外盒與卷帶。外部壓力會(huì)導(dǎo)致卷帶受到損壞。
耐焊性
加熱包裝材料至+150°C以上會(huì)破壞產(chǎn)品特性或損害SMD晶振產(chǎn)品。如需在+150°C以上焊接晶體產(chǎn)品,建議使用SMD產(chǎn)品。在下列回流條件下,對(duì)晶體產(chǎn)品甚至SMD產(chǎn)品使用更高溫度,會(huì)破壞產(chǎn)品特性。建議使用下列配置情況的回流條件。安裝這些產(chǎn)品之前,應(yīng)檢查焊接溫度和時(shí)間。同時(shí),在安裝條件更改的情況下,請(qǐng)?jiān)俅芜M(jìn)行檢查。如果需要焊接的晶體產(chǎn)品在下列配置條件下進(jìn)行焊接,請(qǐng)聯(lián)系我們以獲取耐熱的相關(guān)信息。


輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表


2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs,直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí),探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)
石英晶體振蕩器波形經(jīng)過(guò)的放大器時(shí),可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽,以觀察波形。
(請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。)

3.    測(cè)試電路

VG-1201CA晶振 :在頻率電壓控制功能時(shí),進(jìn)行連接       
1CMOS 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
·          
2 抗低,電容負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
·               
3 TTL 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
·   
4 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
·            
5LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
 
6 LV-PECL 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
 
7 LVDS 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA
 
8 HCSL 負(fù)載
型號(hào):

VG-1201CA

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進(jìn)口晶振,晶振廠家,32.768K晶振,16mm微孔霧化片,2.4M陶瓷霧化片,KDS溫補(bǔ)晶振,精工SSP-T7-F晶振,TXC晶振,大真空DST310S晶振,愛(ài)普生晶振MC-146,SC-32S晶振,3225貼片晶振,西鐵城晶振,TO-39聲表面濾波器,進(jìn)口京瓷晶振,陶瓷晶振,FA-20H石英晶振,西鐵城晶振CM315,LVDS差分晶振,恒溫晶振,美國(guó)進(jìn)口晶振,VCXO壓控晶振,耐高溫晶振
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