晶振系列
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陶瓷霧化片 wuhuapian -
陶瓷晶振 taocijingzhen -
32.768K Clock crystal -
貼片晶振 SMDcrystal -
石英晶振 Quartz Crystal -
聲表面濾波器 Quartz Crystal -
聲表面諧振器 resonator -
陶瓷濾波器 taocilvboqi -
KDS晶振 KDS CRYSTAL -
精工晶振 SEIKO CRYSTAL -
村田晶振 muRata CRYSTAL -
西鐵城晶振 CITIZEN CRYSTAL -
愛普生晶振 EPSON CRYSTAL -
微孔霧化片 微孔霧化片 -
臺(tái)灣加高晶體 H.ELE -
進(jìn)口京瓷晶體 KYOCERA -
日本NDK晶體 進(jìn)口NDK晶體 -
日本大河晶體 RIVER -
美國(guó)CTS晶體 CTS石英晶體 -
臺(tái)灣希華晶體 臺(tái)灣希華 -
臺(tái)灣鴻星晶體 HOSONIC -
臺(tái)灣TXC晶體 TXC CRYSTAL -
臺(tái)灣泰藝晶體 TAITIEN CRYSTAL -
臺(tái)灣亞陶晶體 百利通亞陶 -
臺(tái)灣NSK晶體 NSK CRYSTAL -
瑪居禮晶振 臺(tái)灣瑪居禮晶振 -
富士晶振 日本富士貼片晶振 -
SHINSUNG晶振 韓國(guó)進(jìn)口SHINSUNG晶振 -
SMI晶振 日本SMI貼片晶振 -
Lihom晶振 韓國(guó)Lihom晶振 -
NAKA晶振 日本納卡株式會(huì)社晶振 -
AKER晶振 臺(tái)灣安碁貼片晶振 -
NKG晶振 NKG石英晶振 -
NJR晶振 日本NJR晶振 -
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Statek晶振 Statek貼片晶體 -
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Jauch晶振 Jauch Crystal -
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格林雷晶振 Greenray恒溫晶振 -
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維管晶振 Vectron Crystal -
拉隆晶振 Raltron CRYSTAL -
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KVG晶振 KVG石英晶體 -
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MMDCOMP晶振 MMDCOMP貼片晶振 -
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QANTEK晶振 QANTEK石英晶振 -
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Transko晶振 Transko crystal -
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IQD晶振 IQD CRYSTAL -
Microchip晶振 Microchip crystal -
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富通晶振 Fortiming Crystal -
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NIPPON晶振 NIPPON石英晶體振蕩器 -
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HEC晶振 HEC CRYSTAL -
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麥克羅比特晶振 Macrobizes Crystal -
AXTAL晶振 AXTAL CRYSTAL -
ARGO晶振 ARGO晶振公司是專業(yè)提供和設(shè)計(jì)波段頻率控制設(shè)備和微波無(wú)線通信零部件.我們還分銷日本,歐洲和美國(guó)的一些知名品牌零部件.我們致力于發(fā)展與計(jì)算機(jī),IT和無(wú)線通信公司無(wú)任何界限的信息時(shí)代.我們秉承經(jīng)營(yíng)者的踏實(shí),誠(chéng)懇的態(tài)度,互惠互利的精神,實(shí)現(xiàn)共贏的目標(biāo),以誠(chéng)信為本,誠(chéng)信為本,公平交易為宗旨,以誠(chéng)信,勤勉,誠(chéng)信,精神質(zhì)量第一,客戶滿意的經(jīng)營(yíng)理念,將以優(yōu)良的產(chǎn)品質(zhì)量,優(yōu)惠的價(jià)格,優(yōu)質(zhì)的服務(wù)與您建立長(zhǎng)期穩(wěn)定的合作關(guān)系,共創(chuàng)輝煌事業(yè).
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SKYWORKS晶振
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Renesas瑞薩晶振
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貼片石英晶振 SMD CRYSTAL -
貼片陶瓷晶振 SMD 陶振 -
有源晶振 Oscillator -
石英晶體振蕩器 OSC石英晶體振蕩器
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壓控晶振 VCXO進(jìn)口晶振
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壓控溫補(bǔ)晶振 VC-TCXO CRYSTAL
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恒溫晶振 OCXO有源晶振
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差分晶振 差分石英晶體振蕩器
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數(shù)碼產(chǎn)品
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醫(yī)療產(chǎn)品
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汽車產(chǎn)品
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移動(dòng)產(chǎn)品
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智能家居
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網(wǎng)絡(luò)設(shè)備
- 規(guī)格型號(hào)：120752
- 頻率：1.8432MHz~160.000MHz
- 尺寸：11.5*5.0*13.46mm
- 產(chǎn)品描述：插件石英晶振最適合用于比較低端的電子產(chǎn)品,比如兒童玩具,普通家用電器,即使在汽車電子領(lǐng)域中也能使產(chǎn)品高可靠性的使用.并且可用于安全控制裝置的CPU時(shí)鐘信號(hào)發(fā)生源部分.
Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體
Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體
頻率范圍:1.8432MHz~160.000MHz
負(fù)載電容: 18pF
串聯(lián)電阻: Refer to*1
工作溫度: -0 ~ + 70 ℃
保存溫度: -55~ +125 ℃
精度 +/-50PPM
激勵(lì)電平: 100μW (Max.1000μW)
尺寸：11.5*5.0*13.46mm
應(yīng)用：CPU,內(nèi)存卡,電腦打印機(jī),數(shù)據(jù)通信,數(shù)據(jù)輸入, 輸出機(jī)等用途
Abracon提供了廣泛的石英定時(shí)晶體和振蕩器，MEMS振蕩器，實(shí)時(shí)時(shí)鐘(RTC)，藍(lán)牙模塊，陶瓷諧振器，鋸濾器和諧振器，功率和射頻電感，變壓器，電路保護(hù)元件和射頻天線和無(wú)線充電線圈。作為一個(gè)解決方案供應(yīng)商，Abracon晶振的廣泛的產(chǎn)品線地址信號(hào)路徑，數(shù)據(jù)路徑和電源需求在最苛刻的應(yīng)用。ABRACON旗艦ABLNO系列提供超低相位噪聲固定時(shí)鐘或電壓控制晶體振蕩器（VCXO）解決方案標(biāo)準(zhǔn)尺寸為9x14mm。同超過(guò)12 kHz的37fs典型RMS抖動(dòng)20MHz帶寬@ 100MHz載波，ABLNO是性能驅(qū)動(dòng)的理想選擇通訊，射頻，無(wú)線回程，和儀器應(yīng)用。
品說(shuō)明.jpg)
Abracon晶振,石英晶振,AB晶振,進(jìn)口石英晶體.引腳焊接型石英晶體元件.工廠倉(cāng)庫(kù)長(zhǎng)時(shí)間大量庫(kù)存常用頻點(diǎn),.高精度的頻率和晶振本身更低的等效串聯(lián)電阻.常用負(fù)載電容,49/U石英晶振,因插件型鏡頭成本更低和更高的批量生產(chǎn)能力.主要應(yīng)用于電視,機(jī)頂盒,LCDM和游戲機(jī)家用常規(guī)電器數(shù)碼產(chǎn)品等的最佳選擇.符合RoHS/無(wú)鉛.
Abracon石英晶振多層、多金屬的濺射鍍膜技術(shù)：是目前研發(fā)及生產(chǎn)高精度、高穩(wěn)定性石英晶體諧振器元器件——石英晶振必須攻克的關(guān)鍵技術(shù)之一。石英晶振該選用何鍍材、鍍幾種材料、幾種鍍材的鍍膜順序，鍍膜的工藝方法（如各鍍材的功率設(shè)計(jì)等）。使用此鍍膜方法使鍍膜后的晶振附著力增強(qiáng)，貼片晶振頻率更加集中，能控制在最小ppm之內(nèi)。
品規(guī)格參數(shù)圖.jpg)
| Abracon晶振晶振型號(hào) | AB晶振 |
| 頻率范圍 | 1.8432MHz~160.000MHz |
| 頻率公差(25℃) | ±50ppm的，可指定 |
| 頻率穩(wěn)定度超過(guò)工作溫度范圍 | ±100ppm的，可指定 |
| 操作溫度范圍 | -0~+70℃，可指定 |
| 激勵(lì)電平 | 10μW (Max.200μW) |
| 驅(qū)動(dòng)電平 | 100~1000μW（μW100典型） |
| 負(fù)載電容 | 18pF,可指定 |
| 老化（25℃） | ±5ppm /年最大。 |
| 存儲(chǔ)溫度范圍 | -55~+125℃ |
品尺寸圖.jpg)
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抗沖擊
貼片晶振可能會(huì)在某些條件下受到損壞。例如從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果進(jìn)口貼片晶振已受過(guò)沖擊請(qǐng)勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì)導(dǎo)致石英晶體性能受到損害，因此應(yīng)避免照射。
化學(xué)制劑/pH值環(huán)境
請(qǐng)勿在PH值范圍可能導(dǎo)致腐蝕或溶解進(jìn)口晶振或包裝材料的環(huán)境下使用或儲(chǔ)藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請(qǐng)勿使用可能導(dǎo)致SMD晶振所用的封裝材料，終端，組件，玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 （比如，氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”，從而破壞密封質(zhì)量，降低性能。）
鹵化合物
請(qǐng)勿在鹵素氣體環(huán)境下使用無(wú)源晶振。即使少量的鹵素氣體，比如在空氣中的氯氣內(nèi)或封裝所用金屬部件內(nèi)，都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí)，請(qǐng)勿使用任何會(huì)釋放出鹵素氣體的樹脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì)損壞石英晶體，請(qǐng)注意抗靜電條件。請(qǐng)為容器和封裝材料選擇導(dǎo)電材料。在處理的時(shí)候，請(qǐng)使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測(cè)量電路，并進(jìn)行接地操作。
品工作條件.jpg)
1、振蕩電路
插件石英晶振是無(wú)源元件，因此受到電源電壓、環(huán)境溫度、電路的影響。
配置、電路常數(shù)和襯底布線模式等操作大致分為正常運(yùn)行和異常運(yùn)行。因此，在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，先決條件之一是如何確定振蕩電路。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
晶體諧振器的振動(dòng)安全穩(wěn)定。只有在做出了這個(gè)決定之后，后續(xù)的項(xiàng)目，例如討論了頻率精度、頻率變化、調(diào)制度、振蕩起始時(shí)間和振蕩波形。
2。角色的分量與參考值
在振蕩電路的設(shè)計(jì)中，必須認(rèn)識(shí)到個(gè)體的作用。
組件.在表1中，以例如振蕩電路為例來(lái)描述角色。
使用一個(gè)通用的C-MOS IC（74hcuo4ap東芝）。
當(dāng)反饋電阻（rf）未安裝在振蕩電路中時(shí)，如圖所示表1，即使在振蕩功率作用下，49U插件晶振也不會(huì)啟動(dòng)振蕩。
除非有適當(dāng)值的電阻器連接，否則振蕩不會(huì)啟動(dòng)。
晶體諧振腔的形式模式，但泛音振蕩或基波。
振蕩開始代替。在基本諧振的情況下（MHz頻段）反饋電阻通常是1米?。在泛音諧振器（兆赫頻帶）的情況下，值取決于IC和頻率特性，但在幾個(gè)范圍內(nèi)。
限制流入插件石英晶體的電流，調(diào)節(jié)負(fù)電阻和勵(lì)磁。
電平，防止諧振腔的反常振蕩，抑制頻率波動(dòng)。
C1、C2電容器調(diào)節(jié)負(fù)電阻、勵(lì)磁電平和振蕩頻率。還設(shè)置有給定負(fù)載能力。
適當(dāng)?shù)目刂齐娮柚担≧D）取決于諧振器的類型，頻帶和設(shè)備的價(jià)值。
電容器（C1，C2）。精確值是通過(guò)測(cè)量振蕩電路的特性來(lái)確定的（包括負(fù)電阻和驅(qū)動(dòng)級(jí)）。AT切割諧振器（兆赫頻帶）的參考值在幾個(gè)范圍內(nèi)。
安裝電容器的適當(dāng)值取決于諧振器的類型、頻帶、控制電阻器的值和振蕩的順序，在3 pF的范圍內(nèi)- 33 pF左右，僅供參考。
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