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首頁(yè)金洛博客 Microchip高性能可編程振蕩器與硅MEMS技術(shù)有何關(guān)聯(lián)之處?DSC1122BE1-025.0000

Microchip高性能可編程振蕩器與硅MEMS技術(shù)有何關(guān)聯(lián)之處?DSC1122BE1-025.0000

來(lái)源:http://www.wyss.net.cn 作者:riss 2023年04月27
Microchip高性能可編程振蕩器與硅MEMS技術(shù)有何關(guān)聯(lián)之處?DSC1122BE1-025.0000,Microchip Technology Inc. is a leading provider of microcontroller and analog semiconductors, providing low-risk product development, lower total system cost and faster time to market for thousands of diverse customer applications worldwide. Headquartered in Chandler, Arizona, Microchip offers outstanding technical support along with dependable delivery and quality.
Microchip Technology Inc .是微控制器和模擬半導體的領(lǐng)先供應商,為全球數千種不同的客戶(hù)應用提供低風(fēng)險有源晶振產(chǎn)品開(kāi)發(fā)、更低的總系統成本和更快的上市時(shí)間??偛吭O在亞利桑那州錢(qián)德勒,微芯片提供卓越的技術(shù)支持以及可靠的交付和質(zhì)量。

Microchip高性能可編程振蕩器與硅MEMS技術(shù)有何關(guān)聯(lián)之處?DSC1122BE1-025.0000,Microchip晶振公司發(fā)布編碼DSC1122BE1-025.0000,DSC1102和DSC1122系列高性能振蕩器利用成熟的硅MEMS技術(shù),在寬電源電壓和溫度范圍內提供出色的抖動(dòng)和穩定性。通過(guò)消除對石英或SAW技術(shù)的需求,MEMS振蕩器顯著(zhù)提高了可靠性并加快了產(chǎn)品開(kāi)發(fā),同時(shí)滿(mǎn)足各種通信、存儲和網(wǎng)絡(luò )應用的嚴格時(shí)鐘性能標準。DSC1102具有待機特性,當en引腳被拉低時(shí),它可以完全關(guān)斷;而對于DSC1122,當en為低電平時(shí),僅輸出禁用。兩款振蕩器均采用工業(yè)標準封裝,包括小型3.2毫米x 2.5mm毫米,是標準6引腳LVPECL石英晶體振蕩器的替代產(chǎn)品。
Manufacturer Part Number原廠(chǎng)代碼 Manufacturer品牌 Series型號 Part Status Type 類(lèi)型 Frequency 頻率 Voltage - Supply電壓
DSC1121AI1-156.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AI2-024.5760T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 24.576MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AI2-200.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Obsolete MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AI5-125.0032T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 125.0032MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AI5-125.0038T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 125.0038MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AL2-020.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 20MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121AL2-025.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BI5-050.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 50MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BI5-100.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BI5-125.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121BM5-030.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Obsolete MEMS (Silicon) 30MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CE5-100.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CE5-108.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 108MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CI2-031.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 31.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CL2-020.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 20MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CL2-024.7500T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 24.75MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CL5-024.7500T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 24.75MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM1-027.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 27MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-027.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 27MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121CM2-032.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 32MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121NI1-025.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1121NI1-065.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1121 Active MEMS (Silicon) 65MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE1-123.5200T
 
DSC1122 Active MEMS (Silicon) 123.52MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE1-312.5000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 312.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AE2-156.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI1-133.3300T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 133.33MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI1-156.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI1-159.3750T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 159.375MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI2-025.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122AI5-375.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 375MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122BE1-025.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CE2-150.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 150MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI1-155.5200T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 155.52MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-148.3516T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 148.3516MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-148.5000T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 148.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CI2-155.5200T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 155.52MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122CL1-156.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122NE2-156.2500T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 156.25MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122NI1-078.1250T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 78.125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1122NI1-133.3300T Microchip可編程振蕩器 DSC1122 Active MEMS (Silicon) 133.33MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-148.3516T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 148.3516MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-155.5200T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 155.52MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI2-212.5000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 212.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AI5-110.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 110MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123AL2-125.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BE2-100.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 100MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123BE2-125.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 125MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-062.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 62MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-148.3516T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 148.3516MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-148.5000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 148.5MHz 2.25 V ~ 3.6 V
DSC1123CE2-200.0000T Microchip可編程振蕩器 DSC1123 Active MEMS (Silicon) 200MHz 2.25 V ~ 3.6 V
產(chǎn)品特性:低均方根相位抖動(dòng):< 1 ps(典型值。),高穩定性:10、25、50 ppm,工業(yè)級:-40攝氏度至85攝氏度,延伸文件系統商用:-20攝氏度至70攝氏度,高電源噪聲抑制:-50dBc,短交貨期:2周,寬頻率。范圍:2.3至460兆赫。2.5毫米x 2.0mm毫米、3.2毫米x 2.5mm毫米、5.0毫米x 3.2mm毫米和7.0毫米x 5.0mm毫米,符合軍用標準883,MTF比石英晶體振蕩器高20倍,低電流消耗,電源電壓范圍為2.25V至3.6V,待機和輸出使能功能,無(wú)鉛且符合RoHS標準,提供LVDS和HCSL版本.
應用程序:存儲區域網(wǎng)絡(luò ),SATA、SAS、光纖通道,無(wú)源光網(wǎng)絡(luò ),-EPON,10G-EPON,GPON,10G-GPON 以太網(wǎng) - 1G、10GBASE-T/KR/LR/SR和FCoE,高清/標清/SDI視頻和監控.
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