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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振壓控晶體振蕩器,VG-4231CB晶振,貼片有源晶振

    壓控晶體振蕩器,VG-4231CB晶振,貼片有源晶振

  • 規(guī)格型號(hào):11073778
  • 頻率:1MHz~80MHz
  • 尺寸:5.0x3.2x1.2mm
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:壓控晶體振蕩器,VG-4231CB晶振,貼片有源晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用...

    壓控晶體振蕩器,VG-4231CB晶振,貼片有源晶振,壓控晶振(VCXO)壓控石英晶體振蕩器基本解決方案,PECL輸出,輸出頻率60 MHz到200 MHz之間,出色的低相位噪聲和抖動(dòng),三態(tài)功能,應(yīng)用:SDH/ SONET,以太網(wǎng),基站,筆記本晶振應(yīng)用,符合RoHS/無(wú)鉛.

項(xiàng)目 符號(hào) 規(guī)格說(shuō)明 條件
輸出頻率范圍 f0 1.000MHz to 81.000MHz 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
電源電壓 VCC 3.3V ±0.165V  
儲(chǔ)存溫度 T_stg -40 °C to +85 °C 裸存
工作溫度 T_use 如下表所示  
頻率穩(wěn)定度 f_tol ±50 × 10-6 Max.  
功耗 ICC 10mA Max. 無(wú)負(fù)載條件。
絕對(duì)頻率控制范圍 APR GCZ : ±50 × 10-6 Min. VC=1.65 V±1.5 V
輸入電阻 Rin 10MΩ Min. DC 極
頻率變化極 正極 VC=0.15 to 3.15 V
占空比 SYM 45 % to 55 % 50 % VCC level
輸出電壓 VOH VCC to 0.4 V Min. IOH = -0.8 mA
VOL 0.4V Max. IOL = 3.2 mA
輸出負(fù)載條件
(CMOS)
L_CMOS 15pF Max.  
輸入電壓 VIH 70 % VCC Min.  
VIL 30 % VCC Max.  
上升時(shí)間/ 下降時(shí)間 tr / tf 6ns Max. 20 % Vcc to 80 % VCC
振蕩啟動(dòng)時(shí)間 t_str 10ms Max. 在電源電壓最低時(shí),
所需時(shí)間為0 極
頻率老化 f_aging 頻率穩(wěn)定度包含 +25 °C, VCC=3.3 V, 
20年 (fo ≤ 60MHz),
+25 °C, VCC=3.3 V, 
10年(60MHz < fo)



   晶振是一種易碎元器件,1,對(duì)于晶振的保存方式,首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方,使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2,其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過(guò)程,也不宜使晶振跌落,一般來(lái)說(shuō),從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3,在晶振焊錫過(guò)程中,其焊錫的溫度不宜過(guò)高,焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng),防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4,晶振外殼需要接地時(shí),應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振,5,保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振,6,對(duì)于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。7,焊錫之后,要進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求

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