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晶振系列

首頁(yè)進(jìn)口晶振CS20晶振,西鐵城晶體,高精密石英晶振

    CS20晶振,西鐵城晶體,高精密石英晶振

  • 規(guī)格型號(hào):62441849
  • 頻率:3.5MHz~30.0MHz
  • 尺寸:11.6x5.5x2.0mm詳情請(qǐng)參考PDF資料
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:CS20晶振,西鐵城晶體,高精密石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等...

   CS20晶振,西鐵城晶體,高精密石英晶振,貼片石英晶體,體積小,焊接可采用自動(dòng)貼片系統(tǒng),產(chǎn)品本身小型,表面貼片晶振,特別適用于有小型化要求的電子數(shù)碼產(chǎn)品市場(chǎng)領(lǐng)域,因產(chǎn)品小型,薄型優(yōu)勢(shì),耐環(huán)境特性,包括耐高溫,耐沖擊性等,在移動(dòng)通信領(lǐng)域得到了廣泛的應(yīng)用,晶振產(chǎn)品本身可發(fā)揮優(yōu)良的電氣特性,滿足無(wú)鉛焊接的高溫回流溫度曲線要求.
項(xiàng)目 符號(hào) CS20 條件
額定頻率范圍 f_nom 3.5MHZ~30.0MHZ 請(qǐng)聯(lián)系我們以便獲取其它可用頻率的相關(guān)信息
儲(chǔ)存溫度 T_stg -55°C to +125°C 裸存
工作溫度 T_use -40°C to +85°C  
激勵(lì)功率 DL 0.5μW (1.0μW Max.) 如果你有最大激勵(lì)功率為1.0μW 的需求,請(qǐng)聯(lián)系我們.
頻率公差
(標(biāo)準(zhǔn))
f_tol ±20 × 10-6 +25°C,
DL=0.1μW
如需更嚴(yán)格的公差,聯(lián)系我們
拐點(diǎn)溫度 Ti +25°C ±5°C  
頻率溫度系數(shù) B -0.034 × 10-6/ °C2 Max.  
負(fù)載電容 CL 16.0pF,18.0pF 可指定
串聯(lián)電阻(ESR) R1 70kΩ Max. 70kΩ to 45kΩ
串聯(lián)電容 C1 3.4fF Typ. 3.7fF to 1.6fF
分路電容 C0 5.0pF Max  
頻率老化 f_age ±3 ×10-6 / year Max. +25°C, 第一年



  
晶振是一種易碎元器件,1,對(duì)于晶振的保存方式,首先要考慮其周圍的潮濕度,做好防擠壓措施,放在干燥通風(fēng)的地方,使其晶體避免受潮導(dǎo)致其他電氣參數(shù)發(fā)生變化.2,其次對(duì)于易碎的晶振器件要做好防震措施,不宜放在較高的貨架上,在使用的過(guò)程,也不宜使晶振跌落,一般來(lái)說(shuō),從高空跌落的晶振不應(yīng)再次使用.3,在晶振焊錫過(guò)程中,其焊錫的溫度不宜過(guò)高,焊錫時(shí)間也不宜過(guò)長(zhǎng),防止晶體因此發(fā)生內(nèi)變,而產(chǎn)生不穩(wěn)定.4,晶振外殼需要接地時(shí),應(yīng)該確保外殼和引腳不被意外連通而導(dǎo)致短路.從而導(dǎo)致晶體不起振,5,保證兩條引腳的焊錫點(diǎn)不相連,否則也會(huì)導(dǎo)致晶體停振,6,對(duì)于需要剪腳的晶振,應(yīng)該注意機(jī)械應(yīng)力的影響。7,焊錫之后,要進(jìn)行清洗,以免絕緣電阻不符合要求

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