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晶振系列

首頁(yè)溫補晶振溫補晶振,貼片晶振,TXC晶振,7L晶振

    溫補晶振,貼片晶振,TXC晶振,7L晶振

  • 規格型號:20662741
  • 頻率:13.000~52.000MHZ
  • 尺寸:2.5*2.0*0.8mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應用于軍事,工業(yè)機械,移動(dòng)通訊,數碼電子,醫療設備,智能電表,汽車(chē)電子,數位單眼相機和可穿戴運動(dòng)裝置設備等產(chǎn)品.

臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補晶振
頻率范圍13.000MHZ-52.000MHZ
電源電壓:1.8V

頻率老化:  ±1.5ppm
工作溫度: -30℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 ±0.5 ppm
輸出方式:COMS
尺寸:小體積2.5*2.0*0.8mm
應用:GPS定位系統、北斗導航定位系統、汽車(chē)電子、家用醫療儀、無(wú)線(xiàn)發(fā)射基站、太陽(yáng)能追日系統等產(chǎn)品。

        臺灣晶技股份有限公司(臺灣證券交易所代碼:3042)總部位於臺灣北投工業(yè)園區,是全球規模第七大的專(zhuān)業(yè)石英晶振頻率控制元件制造服務(wù)公司,為一專(zhuān)業(yè)之頻率控制元件制造商.多年來(lái),我們始終以提升客戶(hù)價(jià)值為目標,提供客戶(hù)各種石英晶體振蕩器到模塊化設計(Design In)需求的完全整合方案,以滿(mǎn)足客戶(hù)全方位的需求;在價(jià)格、質(zhì)量、交貨期、服務(wù)等方面,晶技的表現,始終超越客戶(hù)的期待。

       臺灣晶技晶振,7L晶振,2520晶體,溫補晶振,是臺灣TXC品牌的一款小體積帶有溫度補償功能的晶體振蕩器,本身具有±0.5ppm的超高精度,電源電壓低至1.8V~3.3V,也就是說(shuō)功耗只有2.0mA Max.,并且通過(guò)了國際ROHS規定標準,是一款環(huán)保晶振,7L晶振主要16.367667M、16.368M、16.369M、19.2M、26M、33.6M、38.4M和40M。

晶振型號/輸出類(lèi)型 7L晶振,臺灣TXC晶體
晶振類(lèi)型 TCXO振蕩器
占空比 45 % ~ 55 %
振蕩模式 基本/第三泛音
電源電壓 1.8V
頻率范圍2 13.000MHZ-52.000MHZ
頻率穩定度 ±0.5ppm
工作溫度 -30~+85℃
保存溫度 -40~+85℃
電壓卷(最大值)/ VOH(最小值) 0.1VDD/0.9VDD
啟動(dòng)時(shí)間 3 ms Max.
相位抖動(dòng)(12千赫?20兆赫) 1個(gè)PS最大。
老化率 ±5ppm /年最大。




抗沖擊
晶體產(chǎn)品可能會(huì )在某些條件下受到損壞。例如溫補振蕩器從桌上跌落或在貼裝過(guò)程中受到?jīng)_擊。如果產(chǎn)品已受過(guò)沖擊請勿使用。
輻射
暴露于輻射環(huán)境會(huì )導致產(chǎn)品性能受到損害,因此應避免照射。
化學(xué)制劑 / pH值環(huán)境
請勿在PH值范圍可能導致腐蝕或溶解產(chǎn)品或包裝材料的環(huán)境下使用或儲藏這些產(chǎn)品。
粘合劑
請勿使用可能導致TXC晶振產(chǎn)品所用的封裝材料,終端,組件,玻璃材料以及氣相沉積材料等受到腐蝕的膠粘劑。 (比如,氯基膠粘劑可能腐蝕一個(gè)晶體單元的金屬“蓋”,從而破壞密封質(zhì)量,降低性能。)
鹵化合物
請勿在鹵素氣體環(huán)境下使用產(chǎn)品。即使少量的鹵素氣體,比如在空氣中的氯氣內或封裝所用金屬部件內,都可能產(chǎn)生腐蝕。同時(shí),請勿使用任何會(huì )釋放出鹵素氣體的樹(shù)脂。
靜電
過(guò)高的靜電可能會(huì )損壞貼片石英晶振,請注意抗靜電條件。請為容器和封裝材料選擇導電材料。在處理的時(shí)候,請使用電焊槍和無(wú)高電壓泄漏的測量電路,并進(jìn)行接地操作。

1.驅動(dòng)能力
驅動(dòng)能力說(shuō)明所需電功率,其計算公式如下:
驅動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過(guò)單元的電流,
Re表示單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.振蕩補償
除非在
電路中提供足夠的負極電阻,否則會(huì )增加啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時(shí)提供足夠的負極注意事項-振蕩補償.png
3.負載電容
如果
電路中負載電容的不同,可能導致溫補晶體振蕩器頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。

電容特征.png

頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考.png
                           振蕩回路參數設置參考

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