　　一般來說,晶振不以有源無源來分類,只有客戶端工程師才會這樣子叫.客戶端工程師所說的晶振其實就是晶體諧振器和晶體振蕩器的統(tǒng)稱.
　　振蕩器也可以分為插件(DIP)和貼片(SMD),插件如長方形的DIP14封裝,正方形的DIP8封裝等,貼片有5*7, 3.2*5等封裝.
石英晶體振蕩器分為普通晶體振蕩(SPXO),電壓控制式晶體振蕩器(VCXO),溫度補(bǔ)償式晶體振蕩(TCXO),恒溫控制式晶體振蕩(OCXO).

　　普通晶體振蕩器(SPXO)可產(chǎn)生10^(-5)～10^(-4)量級的頻率精度,標(biāo)準(zhǔn)頻率1—100MHZ,頻率穩(wěn)定度是±100ppm.SPXO沒有采用任何溫度頻率補(bǔ)償措施,價格低廉,通常用作微處理器的時鐘器件.封裝尺寸范圍從21×14×6mm及5×3.2×1.5mm.
　　電壓控制式晶體振蕩器(VCXO)的精度是10^(-6)～10^(-5)量級,頻率范圍1~30MHz.低容差振蕩器的頻率穩(wěn)定度是±50ppm.通常用于鎖相環(huán)路.封裝尺寸14×10×3mm
　　溫度補(bǔ)償式晶體振蕩器(TCXO)采用溫度敏感器件進(jìn)行溫度頻率補(bǔ)償,頻率精度達(dá)到10^(-7)~10^(-6)量級,頻率范圍1-60MHz,頻率穩(wěn)定度為±0.1~±2.5ppm,封裝尺寸如DIP14,DIP8等,通常用于手持電話、蜂窩電話、雙向無線通信設(shè)備等.
　　恒溫控制式晶體振蕩器(OCXO)將晶體和振蕩電路置于恒溫槽中,以消除環(huán)境溫度變化對頻率的影響.OCXO頻率精度是10^(-10)至10^(-8)量級,對某些特殊應(yīng)用甚至達(dá)到更高.頻率穩(wěn)定度在四種類型振蕩器中最高.
　　專業(yè)人員都知道晶振的主要幾個參數(shù)無非就是頻點,PPM精度值,負(fù)載電容和溫度穩(wěn)定性.晶振的好壞全看這幾項參數(shù).
　　調(diào)整頻差(Frequency Tolerance):在規(guī)定條件下,在基準(zhǔn)溫度(25±2℃)與標(biāo)稱頻率允許的偏差.一般用ppm(百萬分之)表示.
　　負(fù)載電容(Load Capacitance):與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容,通常用CL表示.

　　頻率溫度穩(wěn)定性:在標(biāo)稱電源和負(fù)載下,工作在規(guī)定溫度范圍內(nèi)的不帶隱含基準(zhǔn)溫度或帶隱含基準(zhǔn)溫度的最大允許頻偏.
開機(jī)特性(頻率穩(wěn)定預(yù)熱時間):指開機(jī)后一段時間(如五分鐘)的頻率到開機(jī)后另一段時間(如半小時)的頻率變化率,表達(dá)了晶振達(dá)到穩(wěn)定的速度.
　　頻率老化率:在恒定的環(huán)境條件下測量振蕩器頻率時,振蕩器頻率和時間之間的關(guān)系.這種長期頻率漂移是由晶體元件和振蕩器元件的緩慢變化造成的.因此其頻率偏移的速度叫老化率,可用規(guī)定的時限后的最大變化率,或規(guī)定的時限內(nèi)最大的總頻率變化.
單邊帶相位噪聲￡(f):偏離載波f處,一個相位調(diào)制邊帶的功率密度與載波功率之比.
　　頻率壓控范圍:將頻率控制電壓從基準(zhǔn)電壓調(diào)到規(guī)定的終點電壓,晶體振蕩器頻率的最小峰值改變量.
　　率壓控線性:與理想(直線)函數(shù)相比的輸出頻率,輸入控制電壓傳輸特性的一種量度,以百分?jǐn)?shù)表示整個范圍頻偏的可容許非線性度.
　　老化率:隨著時間的推移,頻率值隨著變化的大小,有年老化和日老化兩種指標(biāo), 也有一些廠家提到10年或20年老化率的指標(biāo)；
諧振器分為插件和貼片晶振,一般都需要外接元件組成振蕩電路.

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