隨著可編程晶振在市場(chǎng)上的應(yīng)用越來(lái)越廣泛,并且成本大幅降低后,許多用戶和晶體制造商,都把目光轉(zhuǎn)向MEMS市場(chǎng),QVS晶振公司在早幾年前,就開始憑借自身的技術(shù)和實(shí)力,自主鉆研和開發(fā)MEMS振蕩器,并且獲得相當(dāng)不錯(cuò)的成果.已有四款SMD型MEMS硅晶體振蕩器在線銷售,成功出口到30多個(gè)國(guó)家,用戶的評(píng)價(jià)也是比較高的.本文主要是介紹QVS品牌的可編程MEMS振蕩器的產(chǎn)品列表,以及產(chǎn)品的詳細(xì)介紹與應(yīng)用說(shuō)明.
QVSTechInc.宣布他們現(xiàn)在提供微機(jī)電傳感器(MEMS)頻率控制產(chǎn)品.他們使用基于硅的MEMS振蕩器CMOS電路而不是基于石英的諧振器來(lái)產(chǎn)生頻率.這是大多數(shù)石英振蕩器的替代品.其主要優(yōu)點(diǎn)是可提供2.0mmx1.6mm,2.5mmx2.0mm,3.2x2.5mm和5.0mmx3.2mm尺寸的緊密頻率穩(wěn)定性.新產(chǎn)品系列稱為QMEM系列,其LVCMOS系列與時(shí)鐘振蕩器器件兼容.那些想要了解他們提供的更多信息的人可以訪問(wèn)他們的網(wǎng)站.

這些MEMS頻率控制產(chǎn)品的通常應(yīng)用是光纖通道,千兆以太網(wǎng),服務(wù)器,路由器,PCIExpress,網(wǎng)絡(luò)交換,FBDIMM,SATA/SAS,ATM,SONET和SDH.它們還可用于掃描儀,醫(yī)療設(shè)備,調(diào)制解調(diào)器,打印機(jī),照相機(jī),筆記本電腦和PDA.
這些MEMS 0scillator產(chǎn)品具有各種技術(shù)優(yōu)勢(shì).它們是完全可配置的,具有1MHz至110MHz的寬頻率范圍.有幾種電源電壓可供選擇,例如+1.8V,+2.5V,+2.8V和+3.3V.它們?cè)趶V泛的工作溫度范圍內(nèi)提供+/-20ppm的頻率穩(wěn)定性.它們具有低ms周期抖動(dòng),并且具有50％+/-5％的緊湊占空比選項(xiàng).它們不含鹵素,不含鉛,不含銻.它們還符合有害物質(zhì)限制指令(RoHS)和歐盟委員會(huì)的REACH法規(guī).QVS Tech提供五天甚至更短的快速交付.
QVS可編程MEMS振蕩器產(chǎn)品列表:

系列	尺寸	輸出	頻率	ROHS標(biāo)準(zhǔn)
QMEM1	2.0*1.6mm	LVCMOS	1MHz-110MHz	是
QMEM2	2.5*2.0mm	LVCMOS	1MHz-110MHz	是
QMEM3	3.2*2.5mm	LVCMOS	1MHz-110MHz	是
QMEM4	5.0*3.2mm	LVCMOS	1MHz-110MHz	是

QVSTechInc.使用硅基微機(jī)電傳感器(MEMS可編程振蕩器)CMOS電路與基于石英的諧振器進(jìn)行頻率生成.對(duì)于大多數(shù)基于夸脫的石英晶體振蕩器來(lái)說(shuō),這是一個(gè)替代品.我們提供2.0×1.6mm,2.5×2.0mm,2.2×2.5mm和5.0×3.2mm尺寸的緊湊頻率穩(wěn)定性.完全可配置,寬頻率范圍為1.000MHz至110.000MHz.我們有許多供電電壓可供選擇,如+1.8V,+2.5V,+2.8V,+3.3V.QVSTech在寬工作溫度范圍內(nèi)提供非常緊湊的頻率穩(wěn)定性.該部件符合RoHS和REACH標(biāo)準(zhǔn),不含PB,不含鹵素,不含銻.
典型應(yīng)用和最終產(chǎn)品包括:千兆以太網(wǎng),光纖通道,路由器,服務(wù)器,網(wǎng)絡(luò)交換,PCIExpress,SATA/SAS,FBDIMM,DDR,SONET,ATM和SDH.還用于:醫(yī)療設(shè)備,掃描儀,打印機(jī),調(diào)制解調(diào)器,照相機(jī),PDA和筆記本電腦.QVS公司量產(chǎn)的MEMS貼片晶振比較大的亮點(diǎn),是其封裝尺寸,以及周期抖動(dòng)性和頻率穩(wěn)定性,而且適用的產(chǎn)品很多,在行業(yè)里處于領(lǐng)先地位.
[電氣特性]
引腳1配置選項(xiàng)(OE,ST或N/C)
QMEM1系列的引腳1可在工廠編程,支持三種模式:輸出使能(OE),待機(jī)(ST)或無(wú)連接(NC).
輸出使能模式(OE)
在OE模式下,將邏輯定律Low應(yīng)用于OE引腳僅禁用輸出驅(qū)動(dòng)器并將其置于Hi-Z模式.該設(shè)備的核心繼續(xù)正常運(yùn)行.由于輸出的不活動(dòng)性,功耗降低.當(dāng)OE引腳拉高時(shí),輸出通常在<1μSec內(nèi)啟用.
待機(jī)模式(ST)
在ST模式下,當(dāng)引腳1拉低時(shí),器件進(jìn)入待機(jī)模式.設(shè)備的所有內(nèi)部電路均已關(guān)閉.電流降至待機(jī)電流,通常在幾μA的范圍內(nèi).當(dāng)ST拉高時(shí),設(shè)備將通過(guò)“恢復(fù)”進(jìn)程可能需要5毫秒.
無(wú)連接模式(N/C)
在N/C模式下,無(wú)論P(yáng)in1上的邏輯電平如何,MEMS可編程晶體振蕩器始終以正常模式工作并輸出指定的頻率.

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