希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振
參數(shù):頻率范圍2.500MHZ-55.000MHZ
電源電壓: 2.8V
負(fù)載電容: 15PF
工作溫度: -30℃~+75℃
保存溫度: -40℃~+125℃
精度 ±2.5ppm
輸出方式：CMOS輸出 
尺寸：大體積重量輕7.0*5.0*1.4
應(yīng)用：主要應(yīng)用領(lǐng)域:無(wú)線通訊,高端智能手機(jī),平板筆記本W(wǎng)LAN,藍(lán)牙,數(shù)碼相機(jī),DSL和其他IT產(chǎn)品的晶振應(yīng)用,三態(tài)功能,PC和LCDM等高端數(shù)碼領(lǐng)域.

       藉由臺(tái)灣、日本、大陸三地的產(chǎn)品設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)與制程資源整合，不斷開(kāi)發(fā)創(chuàng)新及制程改造，以全系列完整產(chǎn)品線，來(lái)滿足客戶對(duì)石英晶振多樣化的需求。積極地透過(guò)產(chǎn)學(xué)合作與配合國(guó)外技術(shù)引進(jìn)開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品，多角化經(jīng)營(yíng)、擴(kuò)大市場(chǎng)領(lǐng)域，此亦為公司得以永續(xù)經(jīng)營(yíng)的方針。
       科技本于‘善盡企業(yè)責(zé)任、降低環(huán)境沖擊、提升員工健康’的理念，執(zhí)行各項(xiàng)環(huán)境及職業(yè)安全衛(wèi)生管理工作；希華晶體落實(shí)公司環(huán)安衛(wèi)政策要求使環(huán)境暨安全衛(wèi)生管理成效日益顯著，不僅符合國(guó)內(nèi)環(huán)保、勞安法令要求，同時(shí)也能達(dá)到國(guó)際環(huán)保、安全衛(wèi)生標(biāo)準(zhǔn)。

        希華晶振,STO-7050B晶振,7050晶振,有源晶振，是一款貼片型7050mm封裝的有源晶振，晶振本身具有溫度補(bǔ)償功能，可以在產(chǎn)品周?chē)鷾囟群龈吆龅偷臅r(shí)候?qū)囟瓤刂圃?/span>-30℃~+75℃，擁有良好的耐高溫和耐低溫的溫度特性，金屬表面的外殼可STO-7050B晶振增強(qiáng)耐沖擊性，最適合用于要求較高的電子產(chǎn)品，可發(fā)揮其優(yōu)良的電氣特性。

輸出波形與測(cè)試電路
1.時(shí)序表

2.    測(cè)試條件
(1)   電源電壓
    超過(guò) 150µs，直到電壓級(jí)別從 0 %達(dá)到 90 % 。
    電源電壓阻抗低于電阻 2Ω。
(2)   其他
   輸入電容低于 15 pF
   5倍頻率范圍或更多測(cè)量頻率。
   鉛探頭應(yīng)盡可能短。
   測(cè)量頻率時(shí)，探頭阻抗將高于 1MΩ。當(dāng)波形經(jīng)過(guò)振蕩器的放大器時(shí)，可同時(shí)進(jìn)行測(cè)量。
(3)   其他
    CL包含探頭電容。
    應(yīng)使用帶有小的內(nèi)部阻抗的電表。
    使用微型插槽，以觀察波形。
（請(qǐng)勿使用該探頭的長(zhǎng)接地線。）

3.    測(cè)試電路

STO-7050B ：在頻率電壓控制功能時(shí)，進(jìn)行連接       

（1）CMOS 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

·          

（2） 抗低,電容負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

·               

（3） TTL 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

·   

（4） LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

·            

（5）LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

 

（6） LV-PECL 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

 

（7） LVDS 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

 

（8） HCSL 負(fù)載 型號(hào)： STO-7050B

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